Scheibchen von 1 mm Dicke der Legierung TiAl wurden bei Temperaturen von 1100 bis 1400 K im Gravimeter bei Atmosphärendruck einem Gasstrom gereinigten Sauerstoffs ausgesetzt. Die Oxidation verläuft von ca. 20 ks bis 60 ks linear mit der Zeit. Danach verringert sich die Oxidationsgeschwindigkeit. Die Oxidation (m/A) folgt nicht dem parabolischen Gesetz (m/A)2 proportional t. Die Oxidationsschicht wurde an Bruchflächen mit dem Rasterelektronenmikroskop und mit EDX untersucht. Sie bestand aus zwei Teilen: einer äußeren Schicht aus TiO2, die aus der inneren porösen Schicht aus einer Mischung von TiO2 und Al2O3 (alpha-Aluminiumoxid) herausgewachsen war. Zwischen beiden Schichten hatten sich große Hohlräume gebildet. Nahe der Grenze Oxidschicht-Substrat wuchsen später dünne Al2O3-Plättchen nahezu senkrecht zur Oberfläche in das Substrat hinein. An der Grenze traten Risse auf.


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    Title :

    Oxidation behavior of TiAl at high temperatures in purified oxygen


    Additional title:

    Oxidationsverhalten von TiAl in gereinigtem Sauerstoff bei hohen Temperaturen


    Contributors:
    Taniguchi, S. (author) / Shibata, T. (author) / Itoh, S. (author)

    Published in:

    Publication date :

    1991


    Size :

    6 Seiten, 10 Bilder, 2 Tabellen, 10 Quellen



    Type of media :

    Article (Journal)


    Type of material :

    Print


    Language :

    English





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    Kim, S. / Cho, W. / Hong, C.-P. et al. | British Library Conference Proceedings | 1993



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    Donchev, A. / Schutze, M. / VDI | British Library Conference Proceedings | 2008