Coole Revolution bei MOS. Leistungshalbleiter weiter im Aufwärtstrend

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Coole Revolution bei MOS. Leistungshalbleiter weiter im Aufwärtstrend

Geisler, C.

Das Leistungshalbleitergeschäft befindet sich allgemein im Aufwind, doch Siemens liegt mit einem Wachstum von 30 % im Vorjahr deutlich über dem Markt (+ 14 %). Einen wesentlichen Beitrag dazu lieferten die Aktivitäten in der Automobilindustrie, wo Siemens auf dem Smart-Power-Segment Marktführer ist. Außerdem hat sich die Strategie 'Silicon instead of heatsink' eindeutig als Markttrend etabliert. Um auch bei Hochvoltanwendungen ganz vorne mitzuspielen, wurde bei Siemens eine völlig neue Technologie entwickelt, die Cool MOS-Technologie. Derzeit kommen mit der 600-V-Reihe die ersten in dieser Technologie gefertigten Produkte auf den Markt. Es handelt sich hierbei um eine revolutionäre MOS-Technologie, die eine Reduktion des R_{DS on} um den Fakor 5 bis 10 bei gleicher Chipfläche ermöglicht. Durch Einbau vertikaler p-Streifen in die Driftzone wird die Sperrspannung nicht nur in vertikaler sondern auch in horizontaler Richtung aufgebaut. Das erlaubt eine Reduzierung der Schichtdicke. So bietet der 190 mOhm-Transistor als 'best of class' ein R_on von 190 mOhm im TO-220-SMD bei einer Eingangskapazität von 100 pF und einer Gate charge von 110 nC. und eine deutlich höhere Dotierung in der Driftzone.