Microwave and milimeter wave components performances, perspectives and applications to avionics
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Rauschzahl, Ausgangsleistung und Grenzfrequenz von Mikro- und Millimeterwellen-Bauelementen konnten in den letzten Jahren wesentlich erhöht oder verbessert werden. Die Gründe sind dafür in einer verfeinerten Materialtechnologie bei der Herstellung von Heteroübergängen zu suchen. Die sich ergebenden Rauschzahlen liegen bei 1,4 dB, die Ausgangsleistung beträgt über 50 mW bei 94 GHz. Die verschiedenen Realisierungsformen der zutreffenden Bauelemente gruppieren sich um den Hetero-eldeffekttransistor mit einem GaAs- oder InP-Substrat, mit dotiertem oder undotiertem aktiven Kanalmaterial, mit Gitteranpassung an das Substrat und mit Quantenmulde. Einzelne Bauelementeparameter werden in Tabellen zusammengestellt. Die Anwendungen des Hetero-Bipolartransistors betreffen: Puls-Leistungsverstärker, Oszillatoren, Datenwandler.
Document information
Microwave and milimeter wave components performances, perspectives and applications to avionics
Mikro- und Millimeterwellen-Bauelementeverhalten, Aussichten und Anwendungen in der Luftfahrt
Mikrowellen und HF Magazin ; 16 , 5/6 ; 397-402
1990
6 Seiten, 11 Bilder, 7 Tabellen
Article (Journal)
English
QUANTENTOPF , INTEGRIERTE MIKROWELLENSCHALTUNG , MIKROWELLENTRANSISTOR , SUBSTRAT , MIKROWELLENOSZILLATOR , MILLIMETERWELLE , AUSGANGSLEISTUNG , GRENZFREQUENZ , LEISTUNGSVERSTAERKER , FELDEFFEKTTRANSISTOR , ISOLIERSCHICHT-FET , ANALOG-DIGITAL-UMSETZUNG , AVIONIK , GITTERKONSTANTE (KRISTALLGITTER) , HETEROUEBERGANG , GALLIUMARSENID , INDIUMPHOSPHID
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