Die Firma Intersil fertigt die IGBT-Familie D-Pak-Ignition für Kfz-Zündanlagen mit folgenden Eigenschaften: Active Clamping-Schaltung zur Spannungsbegrenzung auf 410 V auf der Primärseite der Zündspule, Logic-Level-Gate zur Mikrocontrolleransteuerung, Self Clamped Inductive Switching für 225 mJ und reduzierter Leistungsbedarf. Die Firma International Rectifier stellt einen N-Kanal-MOSFET IRLBD59-N04E mit Temperatursensor zur Temperaturabtastung zum Schutz von Kfz-Systemen her. Der Temperatursensor besteht aus zwei antiparallel geschalteten, elektrisch isolierten Polysilizium-Dioden, bei Temperaturüberschreitung fällt die Durchlassspannung der Diode bei einem Querstrom von 250 Mikroampere auf 0,5 V ab. Zum Schutz vor Entladungen bis 2000 V sind zwei Zenerdioden integriert. Die Firma Vishay Siliconix bietet vier Trench-Fets-Produkte in TO-220-Gehäuse und D2Pak-Gehäuse mit Eingangswiderständen von 3,5 mOhm in der 40-V-n-Kanal-Version (mit zwei 85-A-n-Kanal-Bauelementen) und 8 mOhm in der 55-V-p-Kanal-Version (mit zwei 75-A-p-Kanal-Bauelementen) an.
Niedriger Leistungsbedarf und minimaler Einschaltwiderstand. Neue Leistungshalbleiter für die Kfz-Elektronik
Low power demand and minimale switching electric resistance. New semiconductor power devices for the automotive electronics
Markt und Technik ; 34 ; 43-44
2000
2 Seiten, 2 Bilder
Article (Journal)
German
Durchlassspannung , Eingangswiderstand , elektrostatische Entladung , Halbleitergehäuse , Herstellernachweis , IGBT (insulated gate bipolar transistor) , MOS-FET , polykristallines Silicium , Silicium-Gate-Technologie , Temperaturaufnehmer , Überspannungsableiter , Z-Diode , Primärspannung , Zündspule
Leistungsbedarf, Flugleistungen
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|Leistungsbedarf und Leistungsangebot
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|British Library Online Contents | 2010
Leistungsbedarf von Fernsehrundfunksatelliten
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