Integrierte Schaltungen fuer spezielle militaerische Anwendungen muessen fuer eine sehr hohe radioaktive Strahlung ausgelegt sein. Das H-MOS-Verfahren zeigt diese Eigenschaften; H-MOS-RAMs widerstehen eine Belastung von 104 Rads. Der Artikel berichtet ueber das Herstellungsverfahren von H-MOS-Schaltungen sowie ueber die Strahlungstests und deren Ergebnisse. Es wird ueber Halbleiterspeicher des Typs RAM sowie ueber einen 16bit-Mikroprozessor, der in dieser Technologie hergestellt ist, berichtet.


    Access

    Access via TIB

    Check availability in my library


    Export, share and cite



    Title :

    High-performance MOS resists radiation


    Additional title:

    H-MOS widersteht hoher Strahlungsdichte


    Contributors:
    Davis, R.T. (author) / Woods, M.H. (author) / Will, W.E. (author) / Measel, P.R. (author)

    Published in:

    Electronics, New York ; 55 , 23 ; 137-139


    Publication date :

    1982


    Size :

    3 Seiten, 4 Bilder, 1 Quelle


    Type of media :

    Article (Journal)


    Type of material :

    Print


    Language :

    English




    U-joint resists wear

    Lovejoy,Downers Grove,US | Automotive engineering | 1981


    Improved Atomizer Resists Clogging

    Dea, J. Y. | NTRS | 1983


    Marine latch resists corrosion

    Online Contents | 2002


    Lockwasher Strongly Resists Disassembly

    Jeffers, Stephanie Z. | NTRS | 1991


    Coated Aluminized Film Resists Corrosion

    Rockoff, H. J. | NTRS | 1982