Integrierte Schaltungen fuer spezielle militaerische Anwendungen muessen fuer eine sehr hohe radioaktive Strahlung ausgelegt sein. Das H-MOS-Verfahren zeigt diese Eigenschaften; H-MOS-RAMs widerstehen eine Belastung von 104 Rads. Der Artikel berichtet ueber das Herstellungsverfahren von H-MOS-Schaltungen sowie ueber die Strahlungstests und deren Ergebnisse. Es wird ueber Halbleiterspeicher des Typs RAM sowie ueber einen 16bit-Mikroprozessor, der in dieser Technologie hergestellt ist, berichtet.
High-performance MOS resists radiation
H-MOS widersteht hoher Strahlungsdichte
Electronics, New York ; 55 , 23 ; 137-139
1982
3 Seiten, 4 Bilder, 1 Quelle
Article (Journal)
English
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