Ein mit COS-, MOS- und SOS-Halbleiterbauelementen bestueckter 256 bit-RAM-Speicher und eine TA 6567-Baugruppen wurden aufihr Betriebsverhalten hin ueberprueft. Der Speicher wurde dabei sowohl mit Aluminium-Gate-Stromkreisen als auch mit Silizium-Gate-Spannungskreisen aufgebaut. Ueber die Stabilitaet der SOS-Beam-tead-Baugruppen, bei Verwendung von TA 5388-Bauelementen, wird abschliessend berichtet.


    Access

    Access via TIB

    Check availability in my library


    Export, share and cite



    Title :

    Design, processing and testing of LSI arrays for space station (Quarterly techn. rept. 1 Jul - 30 Sep 1974)


    Additional title:

    Entwurf, Arbeitsweise und Pruefung von Grossintegrations-Halbleiterbaugruppen fuer Raumfahrtstationen (Quartalsbericht)


    Contributors:

    Published in:

    NASA-Reports ; Nov. ; 1-34


    Publication date :

    1974


    Size :

    34 Seiten


    Type of media :

    Report


    Type of material :

    Print


    Language :

    English