Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) structure has relatively high speed, high breakdown voltage, high transconductance and high packing densities.


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    Titel :

    Complementary DMOS/VMOS integrated-circuit-structure


    Beteiligte:

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    1977-03-01



    Medientyp :

    Sonstige


    Format :

    Keine Angabe


    Sprache :

    Englisch




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