The growth of GaSb under microgravity conditions

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The growth of GaSb under microgravity conditions

Lendvay, E. / Harsy, M. / Gorog, T. / Gyuro, I. / Pozsgai, I. / Koltai, F. / Gyulai, J. / Lohner, T. / Mezey, G. / Kotai, E. / ... [mehr]

Abstract

A high quality GaSb bicrystal was grown in a Bridgeman type arrangement under microgravity conditions on board of Salyut-6. Rutherford back-scattering measurements indicate oxide and damage free surfaces. Scanning electron microscopy revealed microfacets on the space grown sample. The morphology of the sample suggests a crystallization quite free of a wall effect. A comparison is given between space and terrestrial GaSb ingots, showing differences in surface quality, crystal perfection and hole mobilities. In the space grown sample a mu_h=2700 cm² v^{- 1} s^{- 1} value was found, while for the terrestrial control this value was only 2000 cm² v^{- 1} s^{- 1}.

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Dokumentinformationen

Titel :

The growth of GaSb under microgravity conditions

Weitere Titelangaben:

Wachstum von GaSb unter Bedingung der Mikrogravitation

Beteiligte:

Lendvay, E. (Autor:in) / Harsy, M. (Autor:in) / Gorog, T. (Autor:in) / Gyuro, I. (Autor:in) / Pozsgai, I. (Autor:in) / Koltai, F. (Autor:in) / Gyulai, J. (Autor:in) / Lohner, T. (Autor:in) / Mezey, G. (Autor:in) / Kotai, E. (Autor:in)

Erschienen in:

Journal of Crystal Growth ; 71 , 3 ; 538-550

Erscheinungsdatum :

1985

Format / Umfang :

13 Seiten, 18 Quellen

DOI :

https://doi.org/10.1016/0022-0248(85)90360-4

Medientyp :

Aufsatz (Zeitschrift)

Format :

Sprache :