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    1.02/spl mu/m strained InGaAs/AlGaAs Double Quantum-Well High-Power Lasers with GaInP Buried Waveguides

    1.02/spl mu/m strained InGaAs/AlGaAs Double Quantum-Well High-Power Lasers with GaInP Buried Waveguides


    High-power 1.02-/spl mu/m strained InGaAsIAIGaAs double quantum-well lasers with GaInP buried waveguides have been developedfor Pr/sup 3+/-doped fiber amplifier pumping. 415-mW maximurn cw light output power and stable 100-mW operation have been achieved.

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    Dokumentinformationen

    Titel :

    1.02/spl mu/m strained InGaAs/AlGaAs Double Quantum-Well High-Power Lasers with GaInP Buried Waveguides

    Beteiligte:
    Shin Ishikawa, (Autor:in) / Fukagai, K. (Autor:in) / Miyazaki, T. (Autor:in) / Fujii, H. (Autor:in) / Kenji Endo, (Autor:in)
    Erschienen in:

    13th IEEE International Semiconductor Laser Conference ; 204-205

    Erscheinungsdatum :

    1992-01-01

    Format / Umfang :

    159882 byte

    ISBN :

    4-930813-51-4

    DOI :

    https://doi.org/10.1109/ISLC.1992.763638

    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)

    Format :

    Elektronische Ressource

    Sprache :

    Englisch

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