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    Titel :

    Development of lateral DMOS using process and device simulation


    Weitere Titelangaben:

    Entwicklung eines LDMOS mit Prozesssimulation und Device-Simulation.


    Beteiligte:
    Shigematsu,K. (Autor:in) / Kamiya,T. (Autor:in) / Nakayama,Y. (Autor:in) / Higuchi,Y. (Autor:in) / Denso,JP

    Erscheinungsdatum :

    1998


    Format / Umfang :

    4 pages


    Anmerkungen:

    SAE-Paper;980800;1998;Electronic Engine Controls 1998: Diagnostics and Controls;SAE Spec.Publ.; SP-1357


    Medientyp :

    Sonstige


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch



    Development of Lateral DMOS Using Process and Device Simulation

    Shigematsu, Koichi / Iida, Makio / Kamiya, Toyoharu et al. | SAE Technical Papers | 1998


    Development of Lateral DMOS using Process and Device Simulation

    Shigematsu, K. / Kamiya, T. / Nakayama, Y. et al. | British Library Conference Proceedings | 1998


    Cryogenic characterization of lateral DMOS transistors for lunar applications

    Kashyap, A. S. / Mudholkar, M. / Mantooth, H. A. et al. | IEEE | 2009



    A 30 A 30 V DMOS motor controller and driver

    Storti, S. / Consiglieri, F. / Paparo, M. | Tema Archiv | 1988