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    Titel :

    Crystal Growth of a Binary Compound Semiconductor Under Microgravity Conditions


    Beteiligte:
    Hiraoka, Y. (Autor:in) / Ikegami, K. (Autor:in) / Maekawa, T. (Autor:in) / Matsumoto, S. (Autor:in) / Yoda, S. (Autor:in) / Kinoshita, K. (Autor:in)

    Kongress:

    GO.1 symposium, Impact on the gravity level on materials processing and fluid dynamics ; 2000 ; Warsaw



    Erscheinungsdatum :

    2002-01-01


    Format / Umfang :

    6 pages


    Anmerkungen:

    Held as part of the 33rd COSPAR Scientific Assembly



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    Crystal growth of GaSb under microgravity conditions

    Gyuró, I. / Lendvay, E. / Görög, T. et al. | Elsevier | 1983




    Semiconductor Crystal Growth Under Microgravity: Results of Float-Zone Technique

    Benz, K. W. / Croell, A. / International Council of Scientific Unions; Committee on Space Research; Scientific Commission G | British Library Conference Proceedings | 1999