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    Photoelectrical properties of Hg~1~-~xCd~xTe epitaxial films and photodiodes with composition grading [4355-16]

    Photoelectrical properties of Hg~1~-~xCd~xTe epitaxial films and photodiodes with composition grading [4355-16]


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    Dokumentinformationen

    Titel :

    Photoelectrical properties of Hg~1~-~xCd~xTe epitaxial films and photodiodes with composition grading [4355-16]

    Beteiligte:
    Ivasiv, Z. F. (Autor:in) / Tetyorkin, V. V. (Autor:in) / Sizov, F. F. / Kostyukevich, S. / SPIE- The International Society for Optical Engineering / National Academy of Sciences of Ukraine
    Kongress:

    International conference; 5th, Material science and material properties for infrared optoelectronics ; 2000 ; Kiev, Ukraine

    Erschienen in:

    Material science and material properties for infrared optoelectronics ; 108-112

    PROCEEDINGS- SPIE THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING ; 4355

    Erscheinungsdatum :

    2001-01-01

    Format / Umfang :

    5 pages

    ISBN :

    0819440649

    ISSN :

    0277-786X

    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)

    Format :

    Print

    Sprache :

    Englisch

    Schlagwörter :

    material science , material properties , infrared optoelectronics , SPIE , semiconductor physics , optoelectronics

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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    Nr. 4355

    DataCite | 1929

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