search-head

Sie sind hier: Homepage >  Suche

    A family of InGaAs/AlGaAs V-band monolithic HEMT LNAs

    A family of InGaAs/AlGaAs V-band monolithic HEMT LNAs


    Five different types of high-electron-mobility transistor (HEMT) low-noise amplifiers (LNAs) utilizing AlGaAs/GaAs and pseudomorphic InGaAs/GaAs materials have been designed for 60-GHz military electronic warfare and communication applications and have demonstrated excellent performance. The best noise figure achieved, was 4.5 dB NF with an associated 4.5-dB gain at 60 GHz for a one-stage 60-GHz MMIC (monolithic microwave integrated circuit) LNA. Also, two- and three stage MMIC LNAs with higher gains were fabricated with noise figures of 5.0 and 5.3 dB, with gains of 11 and 15 dB, respectively, at 60 GHz. The highest gain achieved in V-band was over 20 dB for a three-stage version exhibiting noise figures close to 5 dB for an AlGaAs version. Both bandpass and quasi-low-pass topologies were realized for these V-band MMIC amplifiers.

    Zugriff

    Zugriff über TIB

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen

    Titel :

    A family of InGaAs/AlGaAs V-band monolithic HEMT LNAs

    Weitere Titelangaben:

    Eine Serie von HEMT-LNA's auf 60 GHz-Basis für die elektronische Kriegsführung und Anwendungen in der Kommunikationstechnik

    Beteiligte:
    Aust, M. (Autor:in) / Yonaki, J. (Autor:in) / Nakano, K. (Autor:in) / Berenz, J. (Autor:in) / Dow, G.S. (Autor:in) / Liu, L.C.T. (Autor:in)
    Erschienen in:

    11th Annual GaAs IC Symposium. Technical Digest ; 95-98

    Erscheinungsdatum :

    1989

    Format / Umfang :

    4 Seiten, 5 Quellen

    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)

    Format :

    Print

    Sprache :

    Englisch

    Schlagwörter :

    HEMT (HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR) , INTEGRIERTE MIKROWELLENSCHALTUNG , V-BAND , ALGAAS-GAAS , FELDEFFEKTTRANSISTOR , INTEGRIERTE HALBLEITERSCHALTUNG , MIKROWELLE , VERSTAERKUNG , BANDPASS , BANDRAUSCHEN , ELEKTRONISCHE KRIEGFUEHRUNG , ALUMINIUMVERBINDUNG , GALLIUMARSENID , DREI-FUENF-VERBINDUNG , MIKROWELLENVERSTAERKER , MILITAERISCHES GERAET , MILLIMETERWELLE , INDIUMVERBINDUNG

    Ähnliche Titel

    W-band monolithic pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMT CBCPW LNA

    Ton, T.N. / Wang, H. / Chen, S. et al. | Tema Archiv | 1993

    Monolithic HEMT LNAS for radar, EW, and COMM

    Upton, M.A.G. / Snow, K.H. / Goldstick, D.I. et al. | Tema Archiv | 1989

    Monolithic HEMT LNAS for radar, EW, and COMM

    Upton, M.A.G. / Snow, K.H. / Goldstick, D.I. et al. | Tema Archiv | 1989

    Ka-Band AlGaAs/InGaAs Phemt Monolithic Low-Noise Amplifier

    Chen, X. et al | British Library Conference Proceedings | 1996

    Quasi-Monolithic Ka-Band VCOs Using Pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMTs

    Wang, M. et al | British Library Conference Proceedings | 1996

    Zugriff

    Zugriff über TIB

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen

    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren