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    Fabrication and evaluation of submicron-square Si wire waveguides with spot size converters

    Fabrication and evaluation of submicron-square Si wire waveguides with spot size converters


    A schematic drawing of Si wire waveguide is shown. We aim at making the Si waveguide with a 300-nm-square section in order to remove the polarization dependence. The spot size converter consists of the tapered Si wire waveguide with a tip width of 60 nm and the 3x3 /spl mu/m-square polymer waveguide.

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    Titel :

    Fabrication and evaluation of submicron-square Si wire waveguides with spot size converters

    Beteiligte:
    Tsuchizawa, T. (Autor:in) / Watanabe, T. (Autor:in) / Tamechika, E. (Autor:in) / Shoji, T. (Autor:in) / Yamada, K. (Autor:in) / Takahashi, J. (Autor:in) / Uchiyama, S. (Autor:in) / Itabashi, S. (Autor:in) / Morita, H. (Autor:in)
    Erschienen in:

    The 15th Annual Meeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society ; 1 ; 287-288 vol.1

    Erscheinungsdatum :

    2002-01-01

    Format / Umfang :

    162229 byte

    ISBN :

    0-7803-7500-9

    ISSN :

    1092-8081

    DOI :

    https://doi.org/10.1109/LEOS.2002.1134040

    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)

    Format :

    Elektronische Ressource

    Sprache :

    Englisch

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