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    Measurement of Minority Carrier Lifetime in Hg1-xCdxTe Photodetector

    Measurement of Minority Carrier Lifetime in Hg1-xCdxTe Photodetector


    The transient photo-generated excess minority carrier lifetime in Hg1-xCdxTe n+p junction photodetector are measured using improved photo-induced open-circuit voltage decay (OCVD) technique. The lifetimes we extracte from the decay curve of the photovoltage are from tens to hundreds ns. A comparison of the relationship between composition of Cd and minority carrier lifetime show the lifetimes become longer with the increasing of Cd composition.

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    Dokumentinformationen

    Titel :

    Measurement of Minority Carrier Lifetime in Hg1-xCdxTe Photodetector

    Beteiligte:
    Cui, H. Y. (Autor:in) / Li, Z. F. (Autor:in) / Xu, X. Y. (Autor:in) / Liu, Z. L. (Autor:in) / Quan, Z. J. (Autor:in) / Lu, W. (Autor:in)
    Erschienen in:

    2006 Joint 31st International Conference on Infrared Millimeter Waves and 14th International Conference on Teraherz Electronics ; 325

    Erscheinungsdatum :

    2006-09-01

    Format / Umfang :

    1149016 byte

    ISBN :

    1-4244-0400-2 , 1-4244-0399-5

    DOI :

    https://doi.org/10.1109/ICIMW.2006.368533

    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)

    Format :

    Elektronische Ressource

    Sprache :

    Englisch

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