Overcoming gain saturation in InAs/GaAs quantum dot lasers

Sie sind hier: Homepage > Suche

Overcoming gain saturation in InAs/GaAs quantum dot lasers

Schmidt, O.G. / Kirstaedter, N. / Mao, M.-H. / Ledentsov, N.N. / Bimberg, D. / Ustinov, V.M. / Egorov, A.Yu. / Zhukov, A.E. / Maximov, M.V. / Kop'ev, P.S. / ... [mehr]

Abstract

By stacking multiple layers of InAs-GaAs quantum dots gain saturation in zero-dimensional laser structures is overcome. The effect of thermal coupling between carriers in different dots in a multi-layer structure is demonstrated.

Zugriff

Zugriff prüfen

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Exportieren, teilen und zitieren

Dokumentinformationen

Titel :

Overcoming gain saturation in InAs/GaAs quantum dot lasers

Beteiligte:

Schmidt, O.G. (Autor:in) / Kirstaedter, N. (Autor:in) / Mao, M.-H. (Autor:in) / Ledentsov, N.N. (Autor:in) / Bimberg, D. (Autor:in) / Ustinov, V.M. (Autor:in) / Egorov, A.Yu. (Autor:in) / Zhukov, A.E. (Autor:in) / Maximov, M.V. (Autor:in) / Kop'ev, P.S. (Autor:in)

Erschienen in:

Conference Proceedings LEOS'96 9th Annual Meeting IEEE Lasers and Electro-Optics Society ; 1 ; 324-325 vol.1

Erscheinungsdatum :

1996-01-01

Format / Umfang :

215852 byte

ISBN :

0-7803-3160-5

DOI :

https://doi.org/10.1109/LEOS.1996.565264

Medientyp :

Aufsatz (Konferenz)