In this paper a InGaAs/GaAs quantum dot in a well intersubband detectors were grown by molecular beam epitaxy (MBE). The spectral response of the detector is compared with the prediction of our theoretical model.


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    Titel :

    Theoretical modeling and experimental characterization of InAs/lnGaAs dots in a well detector


    Beteiligte:
    Amtout, A. (Autor:in) / Raghavan, S. (Autor:in) / Rotella, P. (Autor:in) / von Winckel, G. (Autor:in) / Stintz, A. (Autor:in) / Krishna, S. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    2003-01-01


    Format / Umfang :

    186359 byte





    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch




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