We report the fabrication and laser characteristics of self-assembled InAs quantum dot lasers on GaAs substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition. Continuous-wave lasing at room temperature with low threshold current (6.7 mA) has been achieved at the lasing wavelength of 1.18 /spl mu/m.


    Zugriff

    Zugriff prüfen

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    CW lasing of self-assembled InAs quantum dot lasers on GaAs substrates grown by metalorganic chemical vapour deposition


    Beteiligte:
    Tatebayashi, J. (Autor:in) / Kakuma, H. (Autor:in) / Hatori, N. (Autor:in) / Ishida, M. (Autor:in) / Ebe, H. (Autor:in) / Sudo, H. (Autor:in) / Kuramata, A. (Autor:in) / Nakata, Y. (Autor:in) / Sugawara, M. (Autor:in) / Arakawa, Y. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    2003-01-01


    Format / Umfang :

    87222 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch