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    Saturation behaviour of PtSi-photodiodes under 157-nm laser irradiation

    Saturation behaviour of PtSi-photodiodes under 157-nm laser irradiation


    In this paper, we performed measurements to investigate saturation mechanisms of Schottky-type PtSi-photodiodes (SUV 100) using for 157-nm radiation as emitted from a F/sub 2/laser.

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    Dokumentinformationen

    Titel :

    Saturation behaviour of PtSi-photodiodes under 157-nm laser irradiation

    Beteiligte:
    Gottwald A, (Autor:in) / Hoehl, A. (Autor:in) / Kroth, U. (Autor:in) / Schoppe, H. (Autor:in) / Richter, M. (Autor:in)
    Erschienen in:

    CLEO/Europe. 2005 Conference on Lasers and Electro-Optics Europe, 2005. ; 467

    Erscheinungsdatum :

    2005-01-01

    Format / Umfang :

    250119 byte

    ISBN :

    0-7803-8974-3

    DOI :

    https://doi.org/10.1109/CLEOE.2005.1568245

    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)

    Format :

    Elektronische Ressource

    Sprache :

    Englisch

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