Zugriff

    Zugriff über TIB

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    Advantages of GaN-based LEDs with two-step graded AlGaN last quantum barrier


    Beteiligte:
    Xia, C. S. (Autor:in) / Sheng, Y. (Autor:in) / Li, Z. M. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    2016-01-01


    Format / Umfang :

    9 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Klassifikation :

    DDC:    537.5



    Recent advances in AlGaN-based deep-UV LEDs

    Crawford, M.H. / Fischer, A.J. / Allerman, A.A. et al. | IEEE | 2004


    Electrical Characterization of Blue AlGaN/InGaN/GaN LEDs

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1994


    AlGaN-based deep ultraviolet LEDs: materials challenges and device performance

    Crawford, M.H. / Allerman, A.A. / Fischer, A.J. et al. | IEEE | 2005