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    Titel :

    Improved optical and electrical performances of GaN-based light emitting diodes with nano truncated cone SiO2 passivation layer


    Beteiligte:
    Zuo, P. (Autor:in) / Zhao, B. (Autor:in) / Yan, S. (Autor:in) / Yue, G. (Autor:in) / Yang, H. (Autor:in) / Li, Y. (Autor:in) / Wu, H. (Autor:in) / Jiang, Y. (Autor:in) / Jia, H. (Autor:in) / Zhou, J. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    2016-01-01


    Format / Umfang :

    7 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Klassifikation :

    DDC:    537.5



    Electrical Properties of Trilayer Organic Light-Emitting Diodes With a Mixed Emitting Layer

    Park, J. / Park, S. / Shin, D. | British Library Online Contents | 2009



    Surface passivation at a SiO2-n+-layer interface

    Takato, H. | Online Contents | 1997


    Electrical-optical analysis of photonic crystals GaN-based high power light emitting diodes

    Liu, M. / Li, K. / Kong, F. m. et al. | British Library Online Contents | 2016


    Electrical Conduction and EL Mechanism of Organic Light-Emitting Diodes with Hole-Blocking Layer

    IEEE Lasers and Electro-optics Society | British Library Conference Proceedings | 2005