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    Titel :

    GaN-Based LEDs With Contact-Transferred and Mask-Embedded Lithography and In-Situ N Treatments


    Beteiligte:
    Shei, S.-C. (Autor:in) / Yu, C.-F. (Autor:in)

    Erschienen in:

    JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY ; 30 , 20 ; 3241-3246


    Erscheinungsdatum :

    2012-01-01


    Format / Umfang :

    6 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Klassifikation :

    DDC:    621.3692




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