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    Titel :

    Cathodoluminescence study of InGaN MQW laser diodes using laser lift-off technique


    Beteiligte:
    Li, R. (Autor:in) / Chen, W. (Autor:in) / Kang, X. (Autor:in) / Xu, K. (Autor:in) / Xu, J. (Autor:in) / Yang, Z. (Autor:in) / Nie, R. (Autor:in) / Yu, T. (Autor:in) / Chen, Z. (Autor:in) / Qin, Z. (Autor:in)

    Kongress:

    6th, International symposium on blue laser and light emitting diodes (ISBLLED 2006) ; 2006 ; Montpellier, France



    Erscheinungsdatum :

    2007-01-01


    Format / Umfang :

    4 pages


    Anmerkungen:

    See also 6475.220 vol 204 no 1 2007 for further papers.



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    InGaN Laser Diodes Fabricated by MBE

    Lasers and Electro-optics Society (Institute of Electrical and Electronics Engineers) | British Library Conference Proceedings | 2004


    InGaN laser diodes fabricated by MBE

    Heffernan, J. / Kauer, M. / Johnson, K. et al. | IEEE | 2004


    Blue InGaN MQW Laser Diodes on Sapphire

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1998


    Present Status of InGaN-Based Violet Laser Diodes

    IEEE | British Library Conference Proceedings | 1999


    InGaN SCH-MQW Laser Diodes With Ascleaved Facets

    Onomura, M. / Nishio, J. / Saito, S. et al. | IEEE | 1997